功率器件用于电能转化场景，是电力电子技术的基础，国内市场2300亿元，高端芯片依赖进口。

联栅晶闸管（GATH）是功率器件的新技术革命，是芯片结构基础理论的突破，从芯片机理上解决了现有技术瓶颈。无IGBT闩锁、不受dI/dt dV/dt局限（IGCT），高结温（220℃）（IGBT 175℃）、高功率密度、高电流密度（IGBT 2-3倍）、高抗冲、高可靠、开关速度快、低功耗、低成本、易大规模制造。

目前联栅晶闸管1200V / 1700V系列芯片生产定型，进入验证阶段。3300V/6500V研发规划中。400V系列产品已销售几亿颗，经过市场检验，低功耗、寿命长。因小芯片，小封装，成本是同类产品30%-50%。越往大功率领域发展，联栅晶闸管性能和成本优势越明显。

由于GATH元胞尺寸小，带来很多优势：

1、不受dI/dt的限制

2、导通压降小，静态功耗低

3、关断速度更快，动态功耗更低

4、GATH的最高工作温度比IGBT和GCT高得多

5、GATH没有“闩锁”问题，驱动简单

6、高功率密度，抗浪涌能力强

7、管芯内部电流均匀

8、抗短路能力强

9、规格灵活方便

一、行业现状：高端芯片依赖进口

二、市场规模：2300亿元

三、市场占有率：新一代功率器件技术，现有产品替代者

四、产品服务及利润情况：小功率（100W左右产品成本为同类产品3-%-50%，毛利率40%，越大功率领域产品性价比越高、利润空间越大）

2012年4月19日北京优捷敏公司成立，注册资本1000万，技术创始人李总，北大半导体物理专业，教授级高级工程师，任公司法人、股东（80%），CTO，负责产品研发。

公司创始人李**，管理学硕士，股东（20%），负责项目推广，CEO。